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        FET（Power Mos）測試機(jī)和測量儀器簡介
        
        
        發(fā)布時(shí)間：2024-03-21　點(diǎn)擊量：1625 
        
        
         
           
        FET（Power Mos）測試機(jī)和測量儀器簡介
        我公司專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測設(shè)備和測量儀器的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
        發(fā)布本公司生產(chǎn)的測試儀，包括場效應(yīng)管L負(fù)載測試儀、場效應(yīng)管、晶體管熱阻測量儀等。
        規(guī)格可以根據(jù)產(chǎn)品樣品進(jìn)行更改，并且我們可以根據(jù)測量條件滿足各種要求，例如升高或降低電壓或電流。
         
        EF-5202面板
        EF-5202面板
        		EF-5202面板背面EF-5202面板背面
         
        l 負(fù)載測試設(shè)備（MOS FET）
        l 負(fù)載測試設(shè)備（MOS FET）
        該裝置是對(duì)樣品施加安全操作區(qū)（ASO）內(nèi)的高電壓和大電流以檢查樣品是否會(huì)被破壞的測試裝置。

        將L（電感）連接到樣品（DUT）的漏極作為負(fù)載，并控制輸入柵極電壓來
        切換DUT。由于DUT的切換，L負(fù)載兩端會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢，根據(jù)此時(shí)產(chǎn)生的電壓和電流來測試DUT的耐受能力。

         
        測量規(guī)格
         VDS電源VG1電源VG2電源
        設(shè)定電壓范圍0.0V~50.0V0.0V~+30.0V0.0V~-30.0V
        設(shè)置分辨率1.0V0.1V0.1V
        輸出電流40A以上+100mA以上-100mA以上
        設(shè)定精度±(1%+0.5A)以內(nèi)±(1%+0.1A)以內(nèi)±(1%+0.1A)以內(nèi)
         
        電流限制
        設(shè)定電流0A~40A
        解決1A
        檢測時(shí)間99uS最大1uS步長

        鉗位電源
        輸出電壓999V最大1.0V步進(jìn)
        設(shè)定精度±(1%F?S+10V)
         
        現(xiàn)成產(chǎn)品概要
        場效應(yīng)管-901
        大功率負(fù)載測試設(shè)備500V-100A
        場效應(yīng)管-902
        小功率L負(fù)載測試設(shè)備200V-30A
        FET/晶體管組合型
        場效應(yīng)管-9205
        可以用ROM編程
        EF-5002
        硬 L 和軟 L 測試可使用同一端子進(jìn)行。
        可進(jìn)行 100V-60A 多路復(fù)用器操作（2CH）。


        
        
        
      
        
      
    
        
  
        

        

        









 
  




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